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    1312 月, 2023
    1200V CoolSiC™ MOSFET 简介

    在全球能源需求不断增长的情况下，英飞凌推出的 CoolSiC™ MOSFET 1200V 系列采用了碳化硅 (SiC)，旨在以更少的能源实现产品的高性能、高效率、高品质。碳化硅的使用能让产品在更高的电压下工作，它具有更高的开关频率，并且由于高导热性而提高了散热能力。

    与 IGBT 相比，CoolSiC™ MOSFET 1200V 系列最大可降低 80% 的开关损耗，且其开关损耗与温度无关。即使 IGBT 与 dv/dt 相似，也可降低 50% 的损耗。CoolSiC™ MOSFET 是硬开关和谐振开关拓扑的理想选择，如功率因数校正 (PFC) 电路，双向拓扑和 DC-DC 转换器、DC-AC 逆变器。

    1200V CoolSiC™ MOSFET 特性

    • 基于先进的沟槽栅半导体工艺 SiC MOSFET，在 TO247 封装中提供 1200V 电压
    • 0V 关断栅极电压
    • 较宽的栅-源电压范围
    • 采用 TO-247-3、TO-247-4 和 D2PAK-7 封装
    • 卓越的栅极氧化物可靠性
    • 出色的开关和导通损耗
    • IGBT 兼容型驱动 (+18V)

    什么是 CoolSiC™ MOSFET？

    英飞凌推出革命性的碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，为设计人员提供了更大的灵活性，实现了前所未有的效率和可靠性。与传统的硅基 (Si) 高耐压开关和 IGBT 相比，根据不同的负载条件，CoolSiC™ MOSFET 可将开关损耗降低约为 80%，导电损耗降低高达 50%。这使得逆变器效率水平超过 99%，从而大大降低了运营成本。特定的 SiC 特性可实现同等或更高的开关频率操作。此外，CoolSiC™ MOSFET 设备可通过提高功率密度来降低系统成本。

    1200V CoolSiC™ MOSFET 封装规格

    RDS(on)TO-247-3TO-247 4 D2PAK-7
    35mΩIMW120R030M1HIMZ120R030M1HIMBG120R030M1H
    45mΩIMW120R045M1IMZ120R045M1IMBG120R045M1H
    60mΩIMW120R060M1HIMZ120R060M1HIMBG120R060M1H
    90mΩIMW120R90M1HIMZ120R090M1HIMBG120R090M1H
    140mΩIMW120R140M1HIMZ120R140M1HIMBG120R140M1H
    220mΩIMW120R220M1HIMZ120R220M1HIMBG120R220M1H
    340mΩIMW120R340M1HIMZ120R340M1HIMBG120R340M1H

    1200V CoolSiC™ MOSFET 封装命名

    1200V CoolSiC™ MOSFET 封装规格的命名规则，如下图所示：

    235 月, 2023
    DIODES AP33772的USB PD Sink Controller无线电动工具方案

    AP33772是一款高性价比，USB PD3.0 PPS 解码器，QFN4040-24 小封装。兼容USB power delivery (PD) specification Rev 3.0 V1.2 协议。1. 真正提升除 NB,手机以外的设备端快速充电，不伤害电池组，应用在充电宝，家用电器，无线电动工具等外接设备。2. 兼容 USB PD 多协议充电，可以适用在 Type C to Type C Cable 及 Type A to Type C Cable 3. 可根据不同客户的要求及电池电压，来实现私人订制规格，满足3.3V～20V PPS 电压范围。4. 兼容目前市场快速充电器高达98%，真正做到方便随手充电。

    ►核心技术优势

    1:支持 USB PD Rev3.0 V1.2 协议;2:支持 PPS 规范 (20mV/Step, 50mA/Step）; 3:内制 I2C 及 GPIO 寄存器及通信; 4:支持 N-MOS 驱动 VBUS开关 ;5:支持 dead-battery 模式;6:高范围工作电压：3.3～24V  具有各种OTP,OCP,OVP保护.

    ►方案规格

    1, 规格 ：5V/3A，9V/1.5A 的输入功率。2,充电指示灯。3,过压充电保护。4,过流充电保护。5,欠压放电保护。6,过载保护及短路保护。