1312 月, 2023
1200V CoolSiC™ MOSFET 简介

在全球能源需求不断增长的情况下，英飞凌推出的 CoolSiC™ MOSFET 1200V 系列采用了碳化硅 (SiC)，旨在以更少的能源实现产品的高性能、高效率、高品质。碳化硅的使用能让产品在更高的电压下工作，它具有更高的开关频率，并且由于高导热性而提高了散热能力。

与 IGBT 相比，CoolSiC™ MOSFET 1200V 系列最大可降低 80% 的开关损耗，且其开关损耗与温度无关。即使 IGBT 与 dv/dt 相似，也可降低 50% 的损耗。CoolSiC™ MOSFET 是硬开关和谐振开关拓扑的理想选择，如功率因数校正 (PFC) 电路，双向拓扑和 DC-DC 转换器、DC-AC 逆变器。

1200V CoolSiC™ MOSFET 特性

  • 基于先进的沟槽栅半导体工艺 SiC MOSFET，在 TO247 封装中提供 1200V 电压
  • 0V 关断栅极电压
  • 较宽的栅-源电压范围
  • 采用 TO-247-3、TO-247-4 和 D2PAK-7 封装
  • 卓越的栅极氧化物可靠性
  • 出色的开关和导通损耗
  • IGBT 兼容型驱动 (+18V)

什么是 CoolSiC™ MOSFET？

英飞凌推出革命性的碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，为设计人员提供了更大的灵活性，实现了前所未有的效率和可靠性。与传统的硅基 (Si) 高耐压开关和 IGBT 相比，根据不同的负载条件，CoolSiC™ MOSFET 可将开关损耗降低约为 80%，导电损耗降低高达 50%。这使得逆变器效率水平超过 99%，从而大大降低了运营成本。特定的 SiC 特性可实现同等或更高的开关频率操作。此外，CoolSiC™ MOSFET 设备可通过提高功率密度来降低系统成本。

1200V CoolSiC™ MOSFET 封装规格

RDS(on)TO-247-3TO-247 4 D2PAK-7
35mΩIMW120R030M1HIMZ120R030M1HIMBG120R030M1H
45mΩIMW120R045M1IMZ120R045M1IMBG120R045M1H
60mΩIMW120R060M1HIMZ120R060M1HIMBG120R060M1H
90mΩIMW120R90M1HIMZ120R090M1HIMBG120R090M1H
140mΩIMW120R140M1HIMZ120R140M1HIMBG120R140M1H
220mΩIMW120R220M1HIMZ120R220M1HIMBG120R220M1H
340mΩIMW120R340M1HIMZ120R340M1HIMBG120R340M1H

1200V CoolSiC™ MOSFET 封装命名

1200V CoolSiC™ MOSFET 封装规格的命名规则，如下图所示：